ЭлБиб

Научный журнал Российского НИИ проблем мелиорации, № 2(10), 2013 г., [11-20]

нее, практику возделывания рассадного огурца в тоннельных укрытиях

в регионе нельзя назвать удачной [3, 4]. Гибель от 25 до 80 % растений

за первые 2 недели после высадки рассады, заболевания корневой системы,

замедление процессов роста и развития существенно снижают эффектив-

ность производства и делают нерентабельным возделывание рассадного

огурца в промышленной культуре. Наши исследования показали, что оп-

тимизация конструкции тоннельных укрытий позволяет решить эту про-

блему и обеспечить поступление ранней продукции за счет использования

рассадной культуры огурца.

Материалы и методы

. Главным отличием предложенной техноло-

гии возделывания рассадного огурца является использование более широ-

ких (до 1,0 м) тоннельных пленочных укрытий. Общепринятая технология

основана на общей схеме возделывания рассадных овощных культур

в тоннельных укрытиях. Она предусматривает рядовую или ленточную

высадку рассады огурца на одной капельной линии с расстоянием между

капельными линиями 1,4 м. При этом для временного укрытия рассады ис-

пользуются пленочные тоннели с шириной у основания 0,5 м. Этот вари-

ант (А1) принят нами за контроль. Модернизированная технология в опыте

реализована ленточным способом посева огурца по схеме (рисунок 1):

2 рядка на двух капельных линиях с раскладкой спаренных поливных тру-

бопроводов через 1,4 м (по осевым линиям) и расстоянием в рядке между

капельными трубопроводами 0,6 м при формировании тоннельных укры-

тий шириной 1,0 м (вариант А2).

Учитывая особенности развития и плодоношения рассадного огурца,

на каждом из вариантов с тоннельными укрытиями были заложены опыт-

ные делянки по изучению эффективности регулирования водного

(фактор В) и пищевого (фактор С) режимов почвы.

Таким образом, полевой опыт заложен по трехфакторной схеме.

Электро ная Научная СельскоХозяйственная Библи тека